Samsung desarrolla la DRAM DDR5 de 512 GB

El fabricante acaba de realizar un hito increíble en el campo de las memorias RAM, pues hoy se anuncia que Samsung desarrolla la DRAM DDR5 de 512 GB.

Literalmente estamos hablando de que Samsung es la primera que ha desarrollado este tipo de memorias. Para conseguirlo según los datos han usado la tecnología de fabricación High-K Metal Gate “HKMG”. Lo increíble de esta memoria es que reduciría las fugas energéticas.

Por si no lo sabéis, High-K Metal Gate consiste en la implementación de dieléctricos de puerta de alto κ es una de varias estrategias desarrolladas para permitir una mayor miniaturización de componentes microelectrónicos, conocida coloquialmente como extensión de la Ley de Moore .

A veces, estos materiales se denominan “high-k” (pronunciado “high-kay”), en lugar de “high-κ” (alto kappa) Dieléctrico de High-K Metal Gate, que fue utilizado a principios de 2007, Intel anunció el despliegue de High-K Metal Gate basados ​​en hafnio para componentes construidos con tecnologías de 45 nanómetros.

Por otra parte Samsung la puso en marcha con memorias GDDR6 para sus gráficas allá por el 2018, donde vieron la oportunidad de sustituir el aislante de siempre por High-K Metal Gate.

En concreto, esta memoria está construida en 8 capas apiladas con DRAM de 16GB usando tecnología Through-Silicon Via (TSV), y así poder usar 13% menos de energía.

Samsung explica que la tecnología es capaz de “manejar tareas extremas que consumen mucha energía y que requieren un gran ancho de banda”. El fabricante cita como ejemplos módulos de servidor, inteligencia artificial, aprendizaje automático y el análisis de grandes cantidades de datos.

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